国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,分18页介绍了国外集成电路命名方法)
 器件型号举例说明 ( 缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美))
AM
29L509
P
C
B
AMD首标
器件编号
封装形式
温度范围
分类
  "L":低功耗; D:铜焊双列直插 C:商用温度, 没有标志的
  "S":肖特基; (多层陶瓷); (0-70)℃或 为标准加工
  "LS":低功耗肖特基; L:无引线芯片载体: (0-75)℃; 产品,标有
  21:MOS存储器; P:塑料双列直插; M:军用温度, "B"的为已
  25:中规范(MSI); E:扁平封装(陶瓷扁平); (-55-125)℃; 老化产品。
  26:计算机接口; X:管芯; H:商用,  
  27:双极存储器或EPROM ; A:塑料球栅阵列; (0-110)℃;  
  28:MOS存储器理; B:塑料芯片载体 I:工业用,  
  29:双极微处理器; C、D:密封双列; (-40~85 )℃;  
  54/74:同25; E:薄的小引线封装; N:工业用,  
  60、61、66:模拟,双极; G:陶瓷针栅陈列; (-25~85)℃;  
  79:电信; Z、Y、U、K、H:塑料 K:特殊军用,  
  80:MOS微处理器; 四面引线扁平; (-30~125)℃;  
  81、82:MOS和双极处围电路; J:塑料芯片载体(PLCC); L:限制军用,  
  90:MOS; L:陶瓷芯片载体(LCC); (-55-85)℃<  
  91:MOS RAM: V、M:薄的四面 125℃。  
  92:MOS; 引线扁平;    
  93:双极逻辑存储器 P、R:塑料双列;    
  94:MOS; S:塑料小引线封装;    
  95:MOS外围电路; W:晶片;    
  1004:ECL存储器; 也用别的厂家的符号:    
  104:ECL存储器; P:塑料双列;    
  PAL:可编程逻辑陈列; NS、N:塑料双列;    
  98:EEPROM; JS、J:密封双列;    
  99:CMOS存储器。 W:扁平;    
    R:陶瓷芯片载体;    
    A:陶瓷针栅陈列;    
    NG:塑料四面引线扁平;    
    Q、QS:陶瓷双列。    
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